線路壓降比平...發(fā)表于2017-08-0111:49?8060次閱讀機(jī)器人要如何實(shí)現(xiàn)辨別不同物體？以看到KIR9008C對(duì)黑色材質(zhì)的識(shí)別距離為20mm，而對(duì)白色材質(zhì)的識(shí)別距離為70mm，這是因?yàn)榘咨?..發(fā)表于2017-07-0409:38?383次閱讀怎樣使用光耦做一個(gè)壓控的電位器光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有...發(fā)表于2017-06-3009:20?692次閱讀電位器在不同條件下該如何選用？電位器變得更小、更簡(jiǎn)易、更精確，它的發(fā)展趨向小型化，高功效，，低損耗更新。隨著現(xiàn)代電子設(shè)備的應(yīng)...發(fā)表于2017-06-3008:56?285次閱讀青銅劍科技IGBT驅(qū)動(dòng)方案亮相英飛凌汽車(chē)電子季度...青銅劍科技與英飛凌深度合作，聯(lián)合開(kāi)發(fā)了多款功能強(qiáng)大、高可靠性的汽車(chē)級(jí)IGBT驅(qū)動(dòng)，分別是基于英飛凌H...發(fā)表于2017-06-1611:58?482次閱讀電感繞線該怎樣設(shè)計(jì)，超前電流、電壓有什么區(qū)別？為了達(dá)到上述目的，在此電路中使用了2個(gè)反射光學(xué)傳感器。一個(gè)用作計(jì)數(shù)，另一個(gè)用來(lái)決定計(jì)數(shù)方向-往上...發(fā)表于2017-06-1509:21?457次閱讀電阻抗有何意義？氣敏電阻的應(yīng)用及其工作原理以SnO2氣敏元件為例，它是由**而成，這種晶體是作為N型半導(dǎo)體而工作的。在國(guó)際節(jié)能環(huán)保的大趨勢(shì)下，IGBT下游的風(fēng)電產(chǎn)業(yè)、光伏和新能源汽車(chē)等領(lǐng)域還在迅速發(fā)展。家居模塊性價(jià)比

交直流電壓還可以測(cè)量直流電壓。甚至有的萬(wàn)用表還可以測(cè)量晶體管...發(fā)表于2018-01-1819:18?3013次閱讀驗(yàn)證了LCL型濾波器參數(shù)設(shè)計(jì)及光伏并入配電網(wǎng)的逆...從濾波器的原理入手，對(duì)單L型和LCL型濾波器原理進(jìn)行對(duì)比分析，在設(shè)計(jì)方法上，對(duì)比傳統(tǒng)的分步設(shè)計(jì)法，本...發(fā)表于2018-01-1716:00?1327次閱讀怎么用示波器測(cè)功率本文介紹了怎么用示波器測(cè)功率，小編為大家總結(jié)了使用示波器執(zhí)行功率測(cè)量的七大秘訣。那么，在測(cè)量功率時(shí)我...發(fā)表于2018-01-1510:55?699次閱讀示波器如何測(cè)量直流電壓_示波器測(cè)量直流電壓方法示波器測(cè)量直流電壓方法有兩種，一種是直接測(cè)量法，一種是比較測(cè)量法，這兩種方法都能準(zhǔn)確測(cè)出直流電壓。發(fā)表于2018-01-1509:53?2013次閱讀示波器測(cè)量電壓范圍_示波器測(cè)量電壓**大量程示波器是應(yīng)用的測(cè)試儀器，利用示波器能觀察各種不同信號(hào)幅度隨時(shí)間變化的波形曲線，還可以用它測(cè)試各種...發(fā)表于2018-01-1509:42?408次閱讀如何用示波器測(cè)量交流電壓_示波器測(cè)量交流電壓方法在電子測(cè)量?jī)x器中，示波器是一種電信號(hào)的時(shí)域測(cè)量和分析儀器；它顯示信號(hào)隨時(shí)間變化的波形。北京哪些是模塊量大從優(yōu)新能源汽車(chē)上用的IGBT模塊，客戶要求CTI值大于250V左右。

原標(biāo)題：IGBT功率模塊如何選擇？在說(shuō)IGBT模塊該如何選擇之前，小編先帶著大家了解下什么是IGBT？IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一個(gè)有MOSGate的BJT晶體管，可以簡(jiǎn)單理解為IGBT是MOSFET和BJT的組合體。MOSFET主要是單一載流子(多子)導(dǎo)電，而B(niǎo)JT是兩種載流子導(dǎo)電，所以BJT的驅(qū)動(dòng)電流會(huì)比MOSFET大，但是MOSFET的控制級(jí)柵極是靠場(chǎng)效應(yīng)反型來(lái)控制的，沒(méi)有額外的控制端功率損耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)組合起來(lái)的，兼有MOSFET的柵極電壓控制晶體管(高輸入阻抗)，又利用了BJT的雙載流子達(dá)到大電流(低導(dǎo)通壓降)的目的(Voltage-ControlledBipolarDevice)。從而達(dá)到驅(qū)動(dòng)功率小、飽和壓降低的完美要求，廣泛應(yīng)用于600V以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。1.在選擇IGBT前需要確定主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這個(gè)和IGBT選型密切相關(guān)。2.選擇IGBT需要考慮的參數(shù)如下:額定工作電流、過(guò)載系數(shù)、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數(shù)，額定工作電壓、電壓波動(dòng)、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數(shù)，引線方式、結(jié)構(gòu)也會(huì)給IGBT選型提出要求。，目前市面上的叫主流的IGBT產(chǎn)品都是進(jìn)口的。

該第二氧化層22的厚度為3000-5000a(如圖5c所示)，根據(jù)應(yīng)用端對(duì)器件的開(kāi)關(guān)特性需求，可以對(duì)第二氧化層22的厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)；s102：沉積光刻膠3(如圖5d所示)；s104：去除溝道區(qū)的光刻膠3，保留非溝道區(qū)的光刻膠3，從而保護(hù)溝槽內(nèi)非溝道區(qū)的第二氧化層22不被蝕刻；s105：對(duì)第二氧化層22進(jìn)行蝕刻(如圖5f所示)，然后去除溝槽內(nèi)非溝道區(qū)保留的光刻膠3(如圖5g所示)；s106：在溝槽內(nèi)沉積氧化層21(如圖5h所示)；s107:沉積多晶硅層(如圖5i所示)，然后去除表面多余多晶硅層(如圖5j所示)。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例提供的制作方法形成兩種厚度氧化層2沒(méi)有新增光刻流程，從而節(jié)省了光罩制作成本。綜上，本實(shí)施例提供的溝槽柵igbt及其制作方法可以降低現(xiàn)有技術(shù)中結(jié)構(gòu)的結(jié)電容大小、提高了器件的開(kāi)關(guān)特性，從而使得本實(shí)用新型可以應(yīng)用于高頻場(chǎng)景。盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。又可以應(yīng)用在急救除顫器上，使其從200V電源輸出100KW的雙向震動(dòng)。

大中小燒IGBT或保險(xiǎn)絲的維修程序2010-03-28流水淙淙展開(kāi)全文一、電路板燒IGBT或保險(xiǎn)絲的維修程序電流保險(xiǎn)絲或IGBT燒壞，不能馬上換上該零件，必須確認(rèn)下列其它零件是在正常狀態(tài)時(shí)才能進(jìn)行更換，否則，IGBT和保險(xiǎn)絲又會(huì)燒壞。1．目視電流保險(xiǎn)絲是否燒斷2．檢測(cè)IGBT是否...一、電路板燒IGBT或保險(xiǎn)絲的維修程序保險(xiǎn)絲或IGBT燒壞，不能馬上換上該零件，必須確認(rèn)下列其它零件是在正常狀態(tài)時(shí)才能進(jìn)行更換，否則，IGBT和保險(xiǎn)絲又會(huì)燒壞。這樣付出的代價(jià)就大了。1．檢查保險(xiǎn)絲是否燒斷2．檢測(cè)IGBT是否擊穿：用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量IGBT的“E”；“C”；“G”三極間是否擊穿短路。A：“E”極與“G”極；“C”極與“G”極，正反測(cè)試均不導(dǎo)通(正常)。B：萬(wàn)用表紅筆接”E“極，黑筆接“C”極有電壓降（型號(hào)為GT40T101三極全不通）。3．測(cè)量互感器是否斷腳，正常狀態(tài)如下：用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)量互感器次級(jí)電阻約80Ω；初極為0Ω。4．整流橋是否正常（用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)試）：A：數(shù)字萬(wàn)用表紅筆接“-”，黑筆接“+”有，調(diào)反無(wú)顯示。B：萬(wàn)用表紅筆接“-”，黑筆分別接兩個(gè)輸入端均有，調(diào)反無(wú)顯示。C：萬(wàn)用表黑筆接“+”，紅筆分別接兩個(gè)輸入端均有，調(diào)反無(wú)顯示。5．檢查電容C301；C302；C303。在程序操縱下，IGBT模塊通過(guò)變換電源兩端的開(kāi)關(guān)閉合與斷開(kāi)，實(shí)現(xiàn)交流直流電的相互轉(zhuǎn)化。河南模塊價(jià)格比較

隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn)。家居模塊性價(jià)比

是否受熱損壞。（如果損壞已變形或燒熔）6．檢測(cè)芯片8316是否擊穿：測(cè)量方法：用萬(wàn)用表測(cè)量8316引腳，要求1和2；1和4；7和2；7和4之間不能短路。7．IGBT處熱敏開(kāi)關(guān)絕緣保護(hù)是否損壞。按鍵動(dòng)作不良的檢測(cè)測(cè)量CPU口線是否擊穿：二、按鍵動(dòng)作不良用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量CPU極與接地端，均有，萬(wàn)用表紅筆接“地”；黑筆接“CPU每一極口線”。否則，說(shuō)明CPU口線擊穿。三、功率不能達(dá)到到要求1．線圈盤(pán)短路：測(cè)試線圈盤(pán)的電感量：PSD系數(shù)為L(zhǎng)=157±5μH，PD系列為L(zhǎng)=140±5μH。2．鍋具與線圈盤(pán)距離是否正常。3．鍋具是否是指定的鍋具。四、檢查各元?dú)饧欠袼蓜?dòng)，是否齊全。裝配后不良狀況的檢查：1.不加熱：檢查互感器是否斷腳。2.插電后長(zhǎng)鳴：檢查溫度開(kāi)關(guān)端子是否接插良好。樓3.無(wú)法開(kāi)機(jī)：檢查熱敏電阻端子是否接插良好。4.無(wú)小物檢知（不報(bào)警）：檢查電阻R301~R307是否正常。R301~R302為68KΩR303~R306為130KΩR307為Ω5.風(fēng)扇不轉(zhuǎn)；檢查三極管Q2是否燒壞。（一般燒壞三極管引腳跟部已發(fā)黃；也可用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量）[本帖由嚴(yán)朝基于2009-1-1209:51編輯]贊賞共11人贊賞本站是提供個(gè)人知識(shí)管理的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)空間，所有內(nèi)容均由用戶發(fā)布，不**本站觀點(diǎn)。如發(fā)現(xiàn)有害或侵權(quán)內(nèi)容。家居模塊性價(jià)比

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司坐落在昆山開(kāi)發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201，是一家專業(yè)的一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；電子元器件批發(fā)；電子元器件零售；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售；電力電子元器件銷售；電子設(shè)備銷售；電子測(cè)量?jī)x器銷售；機(jī)械電氣設(shè)備銷售；風(fēng)動(dòng)和電動(dòng)工具銷售；電氣設(shè)備銷售；光電子器件銷售；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；半導(dǎo)體照明器件銷售；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售；半導(dǎo)體分立器件銷售；集成電路銷售；五金產(chǎn)品批發(fā)；五金產(chǎn)品零售；模具銷售；電器輔件銷售；電力設(shè)施器材銷售；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售；儀器儀表銷售；辦公設(shè)備銷售；辦公設(shè)備耗材銷售；辦公用品銷售；日用百貨銷售；機(jī)械設(shè)備銷售；超導(dǎo)材料銷售；密封用填料銷售；密封件銷售；高性能密封材料銷售；橡膠制品銷售；塑料制品銷售；文具用品批發(fā)；文具用品零售；金屬材料銷售；金屬制品銷售；金屬工具銷售；環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售；生態(tài)環(huán)境材料銷售；集成電路設(shè)計(jì)；集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)）公司。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才，以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力，加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。誠(chéng)實(shí)、守信是對(duì)企業(yè)的經(jīng)營(yíng)要求，也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器。公司深耕IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。

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